IRFP140

Symbol Micros: TIRFP140

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 31A; 180 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP140PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	77mOhm
Max. Drainstrom:	31A
Maximaler Leistungsverlust:	180W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP140PBF RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,5078	1,1185	0,9637	0,9075	0,8864

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRFP140PBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8864

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP140PBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8864

Widerstand im offenen Kanal:	77mOhm
Max. Drainstrom:	31A
Maximaler Leistungsverlust:	180W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT