IRFP140

Symbol Micros: TIRFP140
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 31A; 180 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP140PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 77mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP140PBF RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5385 1,1413 0,9834 0,9260 0,9044
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 77mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole