IRFP140NPBF

Symbol Micros: TIRFP140n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 52mOhm; 33A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP140NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP140N RoHS Gehäuse: TO247AC  
Auf Lager:
190 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4525 1,0165 0,8486 0,7903 0,7647
Standard-Verpackung:
25/400
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP140NPBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7647
Standard-Verpackung:
400
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP140NPBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
3200 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7647
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP140NPBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
620 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7647
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT