IRFP140NPBF

Symbol Micros: TIRFP140n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 52mOhm; 33A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP140NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP140N RoHS Gehäuse: TO247AC  
Auf Lager:
190 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4898 1,0426 0,8704 0,8107 0,7844
Standard-Verpackung:
25/400
Widerstand im offenen Kanal: 52mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT