IRFP150PBF

Symbol Micros: TIRFP150
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 55mOhm; 41A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP150PBF; IRFP150;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 41A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRFP150PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6756
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP150PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
5225 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8406
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP150PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
689 stk.
Anzahl Stück 175+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7298
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 41A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT