IRFP150M

Symbol Micros: TIRFP150m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP150MPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP150M RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8022 1,4291 1,2776 1,2216 1,2007
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Standard-Verpackung:
25/100
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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