IRFP22N50APBF Vishay

Symbol Micros: TIRFP22n50a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 230 mOhm; 22A; 277W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP22N50APBFXKMA1;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 277W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50A RoHS Gehäuse: TO247AC Datenblatt
Auf Lager:
8 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,7900 3,0334 2,7078 2,6329 2,5439
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50A RoHS Gehäuse: TO247AC  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,2044 2,6399 2,4033 2,3494 2,2885
Standard-Verpackung:
25/50
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50APBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
585 stk.
Anzahl Stück 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,5439
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50APBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
470 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,5439
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 277W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT