IRFP22N50APBF Vishay
Symbol Micros:
TIRFP22n50a
Gehäuse: TO247AC
N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 230 mOhm; 22A; 277W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP22N50APBFXKMA1;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
Max. Drainstrom: | 22A |
Maximaler Leistungsverlust: | 277W |
Gehäuse: | TO247AC |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50A RoHS
Gehäuse: TO247AC
Datenblatt
Auf Lager:
8 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 3,7900 | 3,0334 | 2,7078 | 2,6329 | 2,5439 |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50A RoHS
Gehäuse: TO247AC
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 3,2044 | 2,6399 | 2,4033 | 2,3494 | 2,2885 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50APBF
Gehäuse: TO247AC
Externes Lager:
585 stk.
Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,5439 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP22N50APBF
Gehäuse: TO247AC
Externes Lager:
470 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,5439 |
Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
Max. Drainstrom: | 22A |
Maximaler Leistungsverlust: | 277W |
Gehäuse: | TO247AC |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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