IRFP250PBF

Symbol Micros: TIRFP250
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 85mOhm; 30A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP250PBF; IRFP250;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
11 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7835 1,3172 1,1331 1,0678 1,0491
Standard-Verpackung:
25/200
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
1648 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0491
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 125+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0491
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP250PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
490 stk.
Anzahl Stück 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0511
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT