IRFP250M

Symbol Micros: TIRFP250m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 75 mOhm; 30A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP250MPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP250MPBF RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,3163 1,7803 1,5602 1,4788 1,4477
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP250MPBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
2750 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4477
Standard-Verpackung:
400
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP250MPBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
379 stk.
Anzahl Stück 175+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4477
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT