IRFP250M
Symbol Micros:
TIRFP250m
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 75 mOhm; 30A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP250MPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 75mOhm |
Max. Drainstrom: | 30A |
Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP250MPBF RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,3163 | 1,7803 | 1,5602 | 1,4788 | 1,4477 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP250MPBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
2750 stk.
Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4477 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP250MPBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
379 stk.
Anzahl Stück | 175+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4477 |
Widerstand im offenen Kanal: | 75mOhm |
Max. Drainstrom: | 30A |
Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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