IRFP250M

Symbol Micros: TIRFP250m

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 75 mOhm; 30A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP250MPBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	214W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP250MPBF RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,2649	1,7408	1,5255	1,4460	1,4156

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP250MPBF RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,2649	1,7408	1,5255	1,4460	1,4156

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP250MPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

5900 stk.

Anzahl Stück	400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4156

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP250MPBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

2124 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4156

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	214W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT