IRFP260PBF VISHAY

Symbol Micros: TIRFP260
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 55mOhm; 46A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 46A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP260PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
1532 stk.
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Nettopreis (EUR) 1,6966
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 46A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT