IRFP260MPBF

Symbol Micros: TIRFP260m
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP260MPBF; IRFP260M;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP260MPBF RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
190 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8371 1,4571 1,3032 1,2473 1,2240
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP260MPBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,5191
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP260MPBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2240
Standard-Verpackung:
400
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT