IRFP2907
Symbol Micros:
TIRFP2907
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 4,5 mOhm; 209A; 470 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP2907PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 209A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 470W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFP2907 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,1935 | 2,6311 | 2,3951 | 2,3070 | 2,2807 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP2907PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
3042 stk.
| Anzahl Stück | 75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,2807 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP2907PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
435 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,3335 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 209A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 470W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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