IRFP3077
Symbol Micros:
TIRFP3077
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 3,3 mOhm; 200A; 340 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP3077PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,3mOhm |
Max. Drainstrom: | 200A |
Maximaler Leistungsverlust: | 340W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFP3077 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 4,7863 | 3,8305 | 3,4574 | 3,3246 | 3,2126 |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFP3077 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 4,7863 | 3,8305 | 3,4574 | 3,3246 | 3,2126 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP3077PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
125 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 3,2126 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,3mOhm |
Max. Drainstrom: | 200A |
Maximaler Leistungsverlust: | 340W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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