IRFP3206PBF
Symbol Micros:
TIRFP3206
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3mOhm; 200A; 280 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP3206PBF; IRFP3206;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 200A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 280W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFP3206PBF RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,0215 | 2,4899 | 2,2661 | 2,1822 | 2,1589 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP3206PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
15440 stk.
| Anzahl Stück | 125+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,1589 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP3206PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
190 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,1589 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 200A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 280W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole