IRFP32N50K

Symbol Micros: TIRFP32n50k
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 160 mOhm; 32A; 460 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRFP32N50KPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 460W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP32N50K RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
123 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 4,7793 4,1102 3,8211 3,7092 3,6766
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 460W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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