IRFP3306

Symbol Micros: TIRFP3306
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4,2 mOhm; 160A; 220 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP3306PBF; IRFP3306TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 160A
Maximaler Leistungsverlust: 220W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP3306 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
69 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9001 1,5084 1,3475 1,2893 1,2659
Standard-Verpackung:
25/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP3306PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
244 stk.
Anzahl Stück 125+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2659
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP3306PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
335 stk.
Anzahl Stück 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4304
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 160A
Maximaler Leistungsverlust: 220W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT