IRFP360

Symbol Micros: TIRFP360
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 200 mOhm; 23A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP360PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP360 RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
71 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,4476 1,9427 1,7370 1,6621 1,6318
Standard-Verpackung:
25/100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP360PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
125 stk.
Anzahl Stück 75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,6857
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP360PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
910 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7084
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT