IRFP3710

Symbol Micros: TIRFP3710

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 25mOhm; 57A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP3710PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	25mOhm
Max. Drainstrom:	57A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP3710 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	2,7545	2,1512	1,8987	1,8028	1,7771

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP3710PBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

1225 stk.

Anzahl Stück	5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,7771

Widerstand im offenen Kanal:	25mOhm
Max. Drainstrom:	57A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT