IRFP4110

Symbol Micros: TIRFP4110
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4110PBF; IRFP4110PBFXKMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO247
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP4110PBFXKMA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
128 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 150+
Nettopreis (EUR) 2,6446 2,1746 1,9782 1,9033 1,8893
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Standard-Verpackung:
25/150
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP4110PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
5275 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,8893
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Standard-Verpackung:
400
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO247
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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