IRFP4227
Symbol Micros:
TIRFP4227
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 25mOhm; 65A; 330 W; -40 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4227PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 65A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFP4227 RoHS
Gehäuse: TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
35 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,1765 | 2,6163 | 2,3841 | 2,2932 | 2,2692 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP4227PBF
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
790 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,2692 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 65A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole