IRFP4229

Symbol Micros: TIRFP4229
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET HEXFET 44A 250V 310W 0.046Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 46mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP4229 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 4,0680 3,2567 2,9060 2,7704 2,7307
Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 46mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT