IRFP4332

Symbol Micros: TIRFP4332
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
N-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 33mOhm; 57A; 360 W; -40 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4332PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 57A
Maximaler Leistungsverlust: 360W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP4332 RoHS Gehäuse: TO247AC Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,0352 2,3701 2,0918 1,9881 1,9574
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP4332PBF Gehäuse: TO247AC  
Externes Lager:
1080 stk.
Anzahl Stück 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,0130
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 57A
Maximaler Leistungsverlust: 360W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Montage: THT