IRFP4410ZPBF

Symbol Micros: TIRFP4410z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9mOhm; 97A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4410ZPBF; IRFP4410Z;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 97A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 97A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT