IRFP4410ZPBF

Symbol Micros: TIRFP4410z

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9mOhm; 97A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4410ZPBF; IRFP4410Z;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	97A
Maximaler Leistungsverlust:	230W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP4410Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

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Anzahl Stück	1+	5+	25+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,3319	1,7851	1,5632	1,5141	1,4580

Standard-Verpackung:
25 Menge (Vielfache: 1)

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	97A
Maximaler Leistungsverlust:	230W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	THT