IRFP4468PBF INFINEON
Symbol Micros:
TIRFP4468
Gehäuse: TO247
Transistor-N-Channel-MOSFET; HEXFET; 100V; -/+20V; 2,6 mOhm; 290A; 520 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRFP4468PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 290A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 520W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP4468PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
93980 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7769 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP4468PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1170 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,2437 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP4468PBFXKMA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9670 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 290A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 520W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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