IRFP460
Symbol Micros:
TIRFP460
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 270 mOhm; 20A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP460APBF; IRFP460PBF; LTB:15-OCT-2022; LTS: 15.04.2023; Verwendung: IRFP460B, SiHG460B
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
Max. Drainstrom: | 20A |
Maximaler Leistungsverlust: | 280W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP460 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
418 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 4,0117 | 3,4471 | 3,2065 | 3,1112 | 3,0850 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP460PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1230 stk.
Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 3,0850 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRFP460PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
2275 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 3,0850 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP460PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
3775 stk.
Anzahl Stück | 75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 3,0850 |
Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
Max. Drainstrom: | 20A |
Maximaler Leistungsverlust: | 280W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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