IRFP460
Symbol Micros:
TIRFP460
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 270 mOhm; 20A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP460APBF; IRFP460PBF; LTB:15-OCT-2022; LTS: 15.04.2023; Verwendung: IRFP460B, SiHG460B
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 280W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP460 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
443 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,9402 | 3,3857 | 3,1493 | 3,0558 | 3,0300 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP460PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
2010 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,0300 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 280W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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