IRFP460BPBF

Symbol Micros: TIRFP460b

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 250 mOhm; 20A; 278 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP460BPBF; Ähnlich wie IRFP460PBF; IRFP460B;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	250mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	278W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP460BPBF RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

16 stk.

Anzahl Stück	1+	4+	16+	64+	256+
Nettopreis (EUR)	2,2278	1,8098	1,6160	1,5272	1,4852

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP460BPBF RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

16 stk.

Anzahl Stück	1+	4+	16+	64+	256+
Nettopreis (EUR)	2,2278	1,8098	1,6160	1,5272	1,4852

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP460BPBF RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

9 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	9+	27+	81+
Nettopreis (EUR)	2,2278	1,8565	1,6533	1,5436	1,4852

Widerstand im offenen Kanal:	250mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	278W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT