IRFP4668

Symbol Micros: TIRFP4668
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 9,7 mOhm; 130A; 520 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4668PBF; IRFP4668PBFXKMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,7mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 520W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP4668PBF RoHS Gehäuse: TO247AC  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 4,2360 3,6406 3,3860 3,2856 3,2576
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25/300
Widerstand im offenen Kanal: 9,7mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 520W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole