IRFP4768
Symbol Micros:
TIRFP4768
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 17,5 mOhm; 93A; 520 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4768PBF;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 17,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 93A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 520W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFP4768 RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
38 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 50+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,9687 | 5,3545 | 5,0825 | 5,0192 | 4,9747 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 17,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 93A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 520W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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