IRFPC50
Symbol Micros:
TIRFPC50
Gehäuse: TO 3P
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 600 mOhm; 11A; 180 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFPC50PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
Max. Drainstrom: | 11A |
Maximaler Leistungsverlust: | 180W |
Gehäuse: | TO 3P |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFPC50PBF RoHS
Gehäuse: TO 3P
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,5547 | 2,0269 | 1,8121 | 1,7327 | 1,7024 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFPC50PBF
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
975 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,7024 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFPC50PBF
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
60 stk.
Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,7048 |
Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
Max. Drainstrom: | 11A |
Maximaler Leistungsverlust: | 180W |
Gehäuse: | TO 3P |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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