IRFPC50
Symbol Micros:
TIRFPC50
Gehäuse: TO 3P
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 600mOhm; 11A; 180W; -55°C ~ 150°C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 180W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFPC50 RoHS
Gehäuse: TO 3P
Auf Lager:
0 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,7494 | 2,1486 | 1,8961 | 1,8002 | 1,7745 |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFPC50PBF RoHS
Gehäuse: TO 3P
Auf Lager:
20 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,7494 | 2,1486 | 1,8961 | 1,8399 | 1,7745 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 180W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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