IRFPF50PBF

Symbol Micros: TIRFPF50

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 900V; 20V; 1,6 Ohm; 6,7A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFPF50PBF; IRFPF50;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,6Ohm
Max. Drainstrom:	6,7A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFPF50PBF RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	2,8373	2,3375	2,1297	2,0503	2,0269

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFPF50PBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

90 stk.

Anzahl Stück	75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,0269

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFPF50PBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

35825 stk.

Anzahl Stück	75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,0269

Widerstand im offenen Kanal:	1,6Ohm
Max. Drainstrom:	6,7A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT