IRFR024N

Symbol Micros: TIRFR024 TEC

Gehäuse: TO252

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 25A; 50W; -55°C~175°C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	33mOhm
Max. Drainstrom:	25A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2024-08-30

Anzahl Stück: 500

Widerstand im offenen Kanal:	33mOhm
Max. Drainstrom:	25A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	SMD