IRFR024N

Symbol Micros: TIRFR024 TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 33mOhm; 25A; 50W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD