IRFR1010Z

Symbol Micros: TIRFR1010z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-MOSFET HEXFET 42A 55V 140W 0.0075Ω

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Parameter
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon (IRF)
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR1010ZTR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8703 1,4846 1,3420 1,2695 1,2461
Standard-Verpackung:
100
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon (IRF)
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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