IRFR110 smd

Symbol Micros: TIRFR110
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 4,3A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR110PBF; IRFR110TRPBF; IRFR110PBF-BE3; IRFR110TRLPBF-BE3; IRFR110TRPBF-BE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFR110 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Auf Lager:
270 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,5891 0,3563 0,2637 0,2447 0,2352
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR110PBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
2200 stk.
Anzahl Stück 75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2352
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR110TRLPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2352
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR110PBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
1653 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2624
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD