IRFR1205

Symbol Micros: TIRFR1205
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR1205 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
33 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 43+ 172+ 731+
Nettopreis (EUR) 0,9352 0,5915 0,4723 0,4278 0,4068
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Standard-Verpackung:
43
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR1205 RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 43+ 172+ 731+
Nettopreis (EUR) 0,9352 0,5915 0,4723 0,4278 0,4068
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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