IRFR120Z
Symbol Micros:
TIRFR120z
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 190 mOhm; 8,7A; 35W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR120ZPBF; IRFR120ZTRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 35W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR120ZTRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
70000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1504 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR120ZTRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
1550 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1923 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 35W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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