IRFR13N15D

Symbol Micros: TIRFR13n15d
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 180 mOhm; 14A; 86W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR13N15DPBF; IRFR13N15DTRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 86W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR13N15D RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 10+ 20+ 80+
Nettopreis (EUR) 0,7473 0,5418 0,4484 0,3900 0,3246
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Standard-Verpackung:
80
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 86W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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