IRFR13N20DTRPBF
Symbol Micros:
TIRFR13n20d
Gehäuse: TO252
N-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 235 mOhm; 13A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR13N20DTRPBF; IRFR13N20DPBF; IRFR13N20D;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 235mOhm |
Max. Drainstrom: | 13A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 235mOhm |
Max. Drainstrom: | 13A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Montage: | SMD |
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