IRFR2405 smd

Name: TIRFR2405 TIRFR2405
Brand: Infineon
SKU: TIRFR2405
Price: 0.7126 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFR2405

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 16mOhm; 56A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR2405TRPBF; IRFR2405PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	16mOhm
Max. Drainstrom:	56A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR2405TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	40+	120+
Nettopreis (EUR)	1,3537	1,0272	0,8460	0,7483	0,7126

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR2405TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7126

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR2405TRLPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7126

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR2405TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7126

Widerstand im offenen Kanal:	16mOhm
Max. Drainstrom:	56A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD