IRFR320 smd
Symbol Micros:
TIRFR320
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1,8 Ohm; 3.1A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR320TRPBF; IRFR320PBF; IRFR320TRLPBF; IRFR320TRRPBF; IRFR320PBF-GURT;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
Max. Drainstrom: | 3,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFR320 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Auf Lager:
120 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7989 | 0,5920 | 0,4375 | 0,3757 | 0,3471 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFR320TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
1999 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3471 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFR320PBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
14982 stk.
Anzahl Stück | 75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3471 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFR320TRLPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3471 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
Max. Drainstrom: | 3,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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