IRFR3607TRPBF

Symbol Micros: TIRFR3607

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR3607TRPBF; IRFR3607PBF-GURT; IRFR3607PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR3607TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1775	0,7842	0,6493	0,5841	0,5608

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3607TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

688000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5608

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3607TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

14000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5608

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3607TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

1550 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5608

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,8843	0,5888	0,4864	0,4398	0,4212