IRFR3709Z

Symbol Micros: TIRFR3709z TEC
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Gehäuse: TO252
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Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5mOhm; 90A; 181W; -55°C~175°C; Substitute: IRFR3709ZTRRPBF; IRFR3709ZTRPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 181W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: IRFR3709Z RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,7360 0,4603 0,3668 0,3295 0,3201
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Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 181W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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