IRFR3806

Symbol Micros: TIRFR3806
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 15,8 mOhm; 43A; 71W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR3806PBF; IRFR3806TRPBF; IRFR3806PBF-GURT;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15,8mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3806TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
3343 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1486 0,7650 0,6340 0,5708 0,5474
Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3806TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
68000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5474
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3806TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
17000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5474
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3806TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
11300 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5474
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 15,8mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD