IRFR3910

Symbol Micros: TIRFR3910 TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 100 mOhm; 14,7A; 34,7 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 14,5A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-03-31
Anzahl Stück: 200
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 14,5A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT