IRFR4104

Symbol Micros: TIRFR4104
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 5,5 mOhm; 119A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR4104PBF; IRFR4104TRLPBF; IRFR104TRRPBF; IRFR4104TRPBF; IRFR4104PBF-GURT; IRFR4104TRPBF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,5mOhm
Max. Drainstrom: 119A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR4104TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2517 0,8757 0,7449 0,6819 0,6585
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR4104TRLPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6585
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR4104TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6585
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR4104TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
1250 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6585
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 5,5mOhm
Max. Drainstrom: 119A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD