IRFR4104
Symbol Micros:
TIRFR4104
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 5,5 mOhm; 119A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR4104PBF; IRFR4104TRLPBF; IRFR104TRRPBF; IRFR4104TRPBF; IRFR4104PBF-GURT; IRFR4104TRPBF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 5,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 119A |
Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFR4104TRPBF RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,2517 | 0,8757 | 0,7449 | 0,6819 | 0,6585 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR4104TRLPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6585 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR4104TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6585 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR4104TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
1250 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6585 |
Widerstand im offenen Kanal: | 5,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 119A |
Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole