IRFR4105

Symbol Micros: TIRFR4105
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 45mOhm; 27A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR4105TRPBF; IRFR4105PBF; IRFR4105PBF-GURT; IRFR4105TRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 27A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR4105 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
65 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7099 0,4484 0,3549 0,3223 0,3082
Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR4105TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
598 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7099 0,4484 0,3549 0,3223 0,3082
Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR4105TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
272000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3082
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR4105TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3082
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 27A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD