IRFR4105
Symbol Micros:
TIRFR4105
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 45mOhm; 27A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR4105TRPBF; IRFR4105PBF; IRFR4105PBF-GURT; IRFR4105TRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
Max. Drainstrom: | 27A |
Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFR4105 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
65 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7099 | 0,4484 | 0,3549 | 0,3223 | 0,3082 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR4105TR RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
598 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7099 | 0,4484 | 0,3549 | 0,3223 | 0,3082 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR4105TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
272000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3082 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR4105TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3082 |
Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
Max. Drainstrom: | 27A |
Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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