IRFR4105
Symbol Micros:
TIRFR4105
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOFET 42A 40V 140W IRFR4105TRPBF, IRFR4105PBF
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 27A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFR4105 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7449 | 0,4719 | 0,3725 | 0,3401 | 0,3239 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR4105TR RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
598 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7449 | 0,4719 | 0,3725 | 0,3401 | 0,3239 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 27A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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