IRFR4620

Symbol Micros: TIRFR4620
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR4620PBF; IRFR4620TRLPBF; IRFR4620PBF-GURT; SP001552208;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 78mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 144W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR4620TRLPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2664 0,8881 0,7543 0,6897 0,6667
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Standard-Verpackung:
400
Widerstand im offenen Kanal: 78mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 144W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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