IRFR4620

Symbol Micros: TIRFR4620

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR4620PBF; IRFR4620TRLPBF; IRFR4620PBF-GURT; SP001552208;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	78mOhm
Max. Drainstrom:	24A
Maximaler Leistungsverlust:	144W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR4620TRLPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

380 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2213	0,8103	0,6702	0,6048	0,5815

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR4620TRLPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5815

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR4620TRLPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

4400 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6296

Widerstand im offenen Kanal:	78mOhm
Max. Drainstrom:	24A
Maximaler Leistungsverlust:	144W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD