IRFR540Z

Symbol Micros: TIRFR540z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 28,5 mOhm; 35A; 91W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR540ZTRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28,5mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 91W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR540Z RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4281 1,0897 0,9025 0,7897 0,7512
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR540ZTRLPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7512
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 28,5mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 91W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD