IRFR5410

Symbol Micros: TIRFR5410 TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 210mOhm; 13A; 66W; -55°C~175°C; Replacement: IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410PBF; IRFR5410PBF-GURT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: IRFR5410 RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
170 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8878 0,5607 0,4439 0,4042 0,3855
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 66W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole