IRFR5410

Symbol Micros: TIRFR5410 TEC

Gehäuse: TO252

Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 13A; 66W; -55°C~175°C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	210mOhm
Max. Drainstrom:	13A
Maximaler Leistungsverlust:	66W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V

Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: IRFR5410 RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8342	0,5234	0,4346	0,3855	0,3622

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Standard-Verpackung:
100 Menge (Vielfache: 1)

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2024-07-25

Anzahl Stück: 200

Widerstand im offenen Kanal:	210mOhm
Max. Drainstrom:	13A
Maximaler Leistungsverlust:	66W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	SMD