IRFR6215

Symbol Micros: TIRFR6215
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-MOSFET 150V 13A 110W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 580mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 580mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD