IRFR7440 INFINEON

Symbol Micros: TIRFR7440
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,8 mOhm; 180A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR7440TRPBF; IRFR7440PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR7440TR RoHS Gehäuse: DPAK t/r  
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7000 1,2610 1,0742 1,0135 0,9995
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Standard-Verpackung:
150
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR7440TRPBF Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
370000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9995
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR7440TRPBF Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9995
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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