IRFR7546

Symbol Micros: TIRFR7546
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,5 mOhm; 71A; 99W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR7546PBF; IRFR7546TRPBF; IRFR7546PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 71A
Maximaler Leistungsverlust: 99W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR7546TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1886 0,9056 0,7499 0,6580 0,6250
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR7546TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
16000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6250
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR7546TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
5350 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6250
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 71A
Maximaler Leistungsverlust: 99W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD