IRFR9014
Symbol Micros:
TIRFR9014 TEC
Gehäuse: TO252
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 110mOhm; 13A; 60W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 13A |
Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | TECH PUBLIC |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 13A |
Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | TECH PUBLIC |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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